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Super Multi TOPLED(R) High-Current LED
Besondere Merkmale
q q q q q q q q q
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Gehausebauform: P-LCC-4 Gehausefarbe: wei als optischer Indikator einsetzbar besonders geeignet bei hohem Umgebungslicht durch erhohten Betriebsstrom ( 50 mA DC) zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung beide Leuchtdiodenchips getrennt ansteuerbar fur alle SMT-Bestuck- und Lottechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Storimpulsfest nach DIN 4083
Features
q q q q q q q q q
P-LCC-4 package color of package: white for use as optical indicator appropriate for high ambient light because of the higher operation current ( 50 mA DC) for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses both chips can be controlled separately suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group
1
11.96
VPL06837
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Typ
Emissionsfarbe Color of Emission
Type
Farbe der Lichtaustrittsflache Color of the Light Emitting Area colorless clear colorless clear colorless clear colorless clear
Lichtstarke
Lichtstrom
Bestellnummer
Luminous Intensity IF = 50 mA IV(mcd) 25 (100 typ.) 16 (100 typ.) 25 (100 typ.) 25 (100 typ.) 16 (50 typ.)
Luminous Flux IF = 50 mA V (mlm) 300 (typ.) 300 (typ.) 300 (typ.) 300 (typ.) 150 (typ.)
Ordering Code
s LSS T672-NO
super-red / super-red orange
Q62703-Q2881 Q62703-Q2536 Q62703-Q2883 Q62703-Q2884 Q62703-Q2885
s LOO T672-MO orange / s LYY T672-NO
yellow / yellow
LGG T672-NO green / green LPP T672-MO
pure green / colorless clear pure green
s Not for new design / Nicht fur Neuentwicklungen
Streuung der Lichtstarke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min 2.0.1) Streuung der Lichtstarke in einer LED IV max / IV min 2.0.
1)
Bei MULTILED(R) mit 2 gleichfarbigen Chips in einem Gehause wird die Helligkeitsgruppe aus dem Mittelwert der Lichtstarken ermittelt.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min 2.0.1) Luminous intensity ratio in one LED IV max / IV min 2.0.
1)
In case of MULTILED(R) with two chips of the same color in one package, the mean of the brightness determines the brightness group of the LED.
Semiconductor Group
2
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebstemperatur Operating temperature range Lagertemperatur Storage temperature range Sperrschichttemperatur Junction temperature Durchlastrom Forward current Stostrom Surge current t 10 s, D = 0.005 Sperrspannung Reverse voltage Verlustleistung Power dissipation Symbol Werte Symbol Values Einheit Unit C C C mA A
Top Tstg Tj IF IFM
- 55 ... + 100 - 55 ... + 100 + 100 50 1
VR Ptot
5 160
V mW
Warmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-Board*) (Padgroe 16 mm 2) Rth JA1) mounted on PC board*) (pad size 16 mm 2) Rth JA2)
*) PC-board: FR4 1) nur ein Chip betrieben 2) beide Chips betrieben
1) 2)
380 530
K/W K/W
one system on both systems on simultaneously
Notes Die angegebenen Grenzdaten gelten fur einen Chip. The stated maximum ratings refer to one chip.
Semiconductor Group
3
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Kennwerte (TA = 25 C) Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlange des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlange Dominant wavelength IF = 10 mA Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max Spectral bandwidth at 50 % Irel max IF = 10 mA Abstrahlwinkel bei 50 % Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50 % Iv Durchlaspannung Forward voltage IF = 50 mA Sperrstrom Reverse current VR = 5 V Kapazitat Capacitance VR = 0 V, f = 1 MHz Schaltzeiten: Switching times: IV from 10 % to 90 % IV from 90 % to 10 % IF = 100 mA, tp = 10 s, RL = 50 (typ.) (max.) (typ.) (max.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) (typ.) Symbol Symbol LS LO 610 Werte Values LY 586 LG 565 LP 557 nm 635 Einheit Unit
peak
dom
628
605
590
570
560
nm
45
40
45
25
22
nm
2
120 2.0 3.8
120 2.1 3.8
120 2.2 3.8
120 2.6 3.8
120 2.6 3.8
deg. V V
VF VF IR IR C0
0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 A 10 10 10 10 10 A 40 35 35 60 80 pF
(typ.) (typ.)
tr tf
350 200
500 250
350 200
500 250
500 250
ns ns
Semiconductor Group
4
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Relative spektrale Emission Irel = f (), TA = 25 C, IF = 10 mA Relative spectral emission V () = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f () Radiation characteristic
Semiconductor Group
5
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Durchlastrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 C
Relative Lichtstarke IV / IV(50 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 C
Zulassige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability Duty cycle D = parameter, TA = 25 C
Maximal zulassiger Durchlastrom IF = f (TA) Max. permissible forward current
Semiconductor Group
6
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Wellenlange der Stahlung peak = f (TA) Wavelength at peak emission IF = 10 mA Dominantwellenlange dom = f (TA) Dominat wavelength IF = 10 mA
Durchlaspannung VF = f (TA) Forward voltage IF = 50 mA
Relative Lichtstarke IV / IV(25 C) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 50 mA
Semiconductor Group
7
LSS T672, LOO T672, LYY T672 LGG T672, LPP T672
Mazeichnung Package Outlines
(Mae in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Semiconductor Group
8
GPL06837

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